電容介質(zhì)不可能絕對不導電，當電容加上直流電壓時(shí)，電容器會(huì )有漏電流產(chǎn)生。若漏電流太大，電容器就會(huì )發(fā)熱損壞。除電解電容外，其他電容器的漏電流是極小的，故用絕緣電阻參數來(lái)表示其絕緣性能；而電解電容因漏電較大，故用漏電流表示其絕緣性能（與容量成正比）。

對電容器施加額定直流工作電壓將觀(guān)察到充電電流的變化開(kāi)始很大，隨著(zhù)時(shí)間而下降，到某一終值時(shí)達到較穩定狀態(tài)這一終值電流稱(chēng)為漏電流。

其計算公式為：i=kcu(μa)；其中k值為漏電流常數，單位為μa(v·)。

一般塑膠膜電容器及陶瓷電容器的標準(IEC60384-8/GB/T 5966, IEC60384-9/GB/T 5968)，或安規塑膠膜電容器(X電容)及陶瓷電容器(Y電容)的標準(如IEC 60384-14/GBT6364.14)都無(wú)泄漏電流特性要求。

關(guān)于XY 電容器，國際間都未定義泄漏電流(Leakage Current)的產(chǎn)業(yè)標準，制造業(yè)者難以遵循。民間使用者偶而會(huì )提起這個(gè)議題，但翻閱電容器國際大廠(chǎng)的目錄，諸如AVX、Mallory及Murata三個(gè)公司，也只有Murata有提供其Y電容的漏電流特性曲線(xiàn)，表示其某幾種Y電容對應工作電壓高低時(shí)的漏電流變化。

AVX的目錄就只有說(shuō)明電容器泄漏電流的理論值應參照歐姆定律 I = E/R計算 (Leakage current is determined by dividing the rated voltage by IR), 以上式歐姆定律電流公式改成泄漏電流公式即成：

IL = UR / IR

IL：泄漏電流, 單位是A, 常以豪安(mA)為計算單位

UR：電容器額定工作電壓表示, 單位是V

IR：絕緣電阻, 單位是歐姆Ω, 常以百萬(wàn)歐姆(MΩ)為計算單位

至于XY電容器在制造程中的耐電壓測試時(shí)會(huì )設定漏電流的極限值(交流電路), 與依歐姆定律而設計的漏電流表(直流電路)所得的漏電流值會(huì )不同。

因電壓相差很大，絕緣在不同電壓下會(huì )有不同的值，兩者不一定呈現線(xiàn)性關(guān)系。對于標準的規定來(lái)說(shuō)，泄漏電流要求使用測試網(wǎng)絡(luò )并在規定的模式下測試，更甚者如AV標準，要求測試設備要有很高的頻率帶寬，并且是給出峰值，這些與耐壓試驗時(shí)出現的漏電流顯得不一樣。耐壓試驗儀上的漏電流示值只用來(lái)告訴你耐壓儀在工作中，也用于識別出異常的產(chǎn)品，其設置值只反映漏電流到達這個(gè)值就報警并視為擊穿，這并不意味著(zhù)絕緣真的發(fā)生擊穿現象，這就是我們常說(shuō)的假擊穿。

雖然都叫漏電流，但是還是有很大差異，漏電流測試的電流，就是初級電路通過(guò)Y電容等耦合過(guò)來(lái)的。是有相關(guān)限值要求。耐壓測試的那個(gè)漏電流也叫擊穿電流，只是一個(gè)名稱(chēng)，和漏電流測試完全沒(méi)關(guān)系。

更多關(guān)于電容漏電流，是整個(gè)裝置的漏電流，與電源初次回路接上的Y電容容量大小有關(guān)系，看其論說(shuō)：

『一、Y-CAP 的容值與安規漏電流之關(guān)系: 漏電流 = 輸入電壓 / Y 電容容抗 [ 2 * (圓周率) * (輸入電壓周期) ]

1.安規要求漏電流小于 3.5 mA. (CLASS I 指 3 PIN 有接地產(chǎn)品)

2.安規要求漏電流小于 0.75mA. (手持式產(chǎn)品)

3.安規要求漏電流小于 0.25mA. (CLASS II指 無(wú)接地產(chǎn)品)

4.日本安規要求漏電流小于 0.25 mA. (CLASS II指無(wú)接地產(chǎn)品)

5.要注意其總容量與漏電流之關(guān)系.簡(jiǎn)易速算法: 1000 = 0.1 mA.

2PIN與3PIN差別,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是一個(gè)沒(méi)有地,一個(gè)有地,所以前者比后者少了一根線(xiàn).

2PIN沒(méi)有地線(xiàn),要求極其嚴格,所以是0.25mA

3PIN有地線(xiàn),對于高頻的干擾,加上Y電容之后,高頻信號是有良好的接地回路進(jìn)行釋放的,所以比較好處理一點(diǎn).但是Y電容加上去,漏電流就加大了.而且容值越大,漏電流也就越大.這里要求是0.75mA.Y電容容值也不要超過(guò)10nF.一般取值2.2nF,實(shí)在不行的時(shí)候4.7nF.

對于2P的ADAPTER,必須小于0.25mA

對于3P的ADAPTER,必須小于0.75mA。